好文必看|MOS电容结构图文解析-KIA MOS管
MOS电容结构-MOS电容
MOS结构具有Q随V变化的电容效应，形成MOS电容。
理想MOS电容结构特点
绝缘层是理想的，不存在任何电荷,绝对不导电;
半导体足够厚，不管加什么栅电压，在到达接触点之前总有一个零电场区(硅体区)
绝缘层与半导体界面处不存在界面陷阱电荷;
金属与半导体之间不存在功函数差。
负栅压:多子的积累，体内多子顺电场方向被吸引到S表面，
能带变化:空穴在表面堆积，能带上弯
MOS电容结构-理想MOS电容:
绝缘层是理想的，不存在任何电荷;Si和SiO2界面处不存在界面陷阱电荷;
金半功函数差为0。
系统热平衡态，能带平，表面净电荷为0。
小的正栅压:多子耗尽，表面留下带负电的受主离子，不可动，且由半导体浓度的限制，形成负的空间电荷区。
能带变化:P衬表面正空穴耗尽，浓度下降，能带下弯，Xd:空间电荷区(耗尽层、势垒区)的宽度。
注意:正栅压↑，增大的电场使更多的多子耗尽，Xd↑,能带下弯增加。
大的正栅压:能带下弯程度↑，表面EFi到EF下，表面具n型。
P衬表面Na-面电荷密度↑，同时P衬体内的电子被吸引到表面，表面出现电子积累，反型层形成。
注意:栅压↑反型层电荷数增加，反型层电导受栅压调制。阈值反型后，Xd↑最大值Xdt不再扩展。
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