小尺寸MOS器件模型/MOS器件模型KIA-MO管
小尺寸MOS器件模型
缩小MOS器件的尺寸是推进LSI技术发展的关键因素初期的MOs器件都是大尺寸的(10m左右),因而习惯上有套适用它们的物理模型和计算方法,所得的结果与大尺寸器件的实测特性相符合。
这种模型和计算方法叫做逐次沟道近似(Gradual Channel Approximation),简称为GCA。但是,它对
vLS中的小尺寸器件不适用,必须进行修正本章将阐明MOS小尺寸器件的各种物理效应(包括一级和
级效应),并对GCA作相应的各项修正。小尺寸MOs器件是VLSI中最基本的元件,必须了解其基本的
物理和电学特性,建立起符合实际且较简便的计算模型公式,这是正确进行计算机电路模拟的基础,
也是进行VLSI设计计算的基本工具。实际上,计算机电路模拟的精度很大程度上决定于器件模型的
精度。因此,建立一个较精确的、而且便于计算的器件模型对VLSI设计是至关重要的,这也是本书
首先介绍器件模型的原因同时,由于目前国际上普遍使用美国加州大学伯克利(Berkele)分校开发的、
SPICE电路模拟程序,所以我们也将结合它给出的小尺寸MOS器件模型进行一定的介绍及分析讨论,
并指出它的不足,以利于那些用该程序的VLSI设计者对它有较正确的认识。
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