MOSFET放大器栅极偏置电压解析-KIA MOS管
MOSFET放大器栅极偏置电压
MOSFETS通过称为“通道”的导电区域或路径导通。通过施加合适的栅极电位，我们可以使该导电沟道更宽或更小。通过施加该栅极电压在栅极端子周围感应的电场影响通道的电特性，因此称为场效应晶体管。
换句话说，我们通过创建或“增强”其源极和漏极区域之间的导电沟道，可以控制mos管如何工作，从而产生一种通常称为n沟道增强型MOSFET的mos管，这意味着除非我们在栅极上正向偏置它们（对于p沟道是负的，没有沟道电流会流动。
不同类型的mos管的特性存在很大的变化，因此mos管的偏置必须单独进行。与双极晶体管共发射极配置一样，共源MOSFET mosfet放大器需要偏置在合适的静态值。但首先让我们想起mos管的基本特性和配置。
请注意，双极结型晶体管和FET之间的根本区别在于BJT的端子标记为集电极，发射极和基极，而MOSFET的端子分别标记为漏极，源极和栅极。
MOSFET与BJT的区别在于栅极和沟道之间没有直接连接，这与BJT的基极 - 发射极结不同，因为金属栅极电极与导电沟道电绝缘，因此它具有绝缘栅极的二级名称场效应晶体管，或IGFET。
我们可以看到，对于n沟道MOSFET（NMOS），衬底半导体材料是 p型，而源极和漏极是 n型。电源电压为正。栅极端子偏置正偏压吸引栅极区域下方的p型半导体衬底内的电子朝向它。
p型衬底内过量的自由电子导致导电通道出现或增长为p型区域的电特性反转，有效地将p型衬底转换为n型材料，允许沟道电流流动。
p沟道MOSFET（PMOS）也是如此其中负栅极电位导致在栅极区域下方形成空穴，因为它们被吸引到金属栅极电极外侧的电子上。结果是n型衬底形成了一个p型导电沟道。
因此，对于我们的n型MOS晶体管，我们放在栅极上的正电位越大，电子的积累就越大在栅极区域周围，导电沟道变宽。这增强了通过通道的电子流，允许更多的通道电流从漏极流向源极，从而得到增强型MOSFET的名称。
基本MOSFET放大器
这个简单的增强模式共源mosfet放大器配置在漏极使用单电源，并使用电阻分压器产生所需的栅极电压VG 。我们记得对于MOSFET，没有电流流入栅极端子，因此我们可以对MOSFET放大器的直流工作条件做出如下基本假设。
要将mosfet放大器栅极电压设置为此值，我们选择电阻值，分压器网络内的 R1 和 R2 为正确的值。正如我们从上面所知，“无电流”流入mosfet器件的栅极端子，因此分压公式如下：
MOSFET放大器栅极偏置电压
MOSFET放大器栅极偏置电压:注意，此分压器公式仅确定两个偏置电阻的比率， R1 和 R2 而不是他们的实际值。此外，还希望使这两个电阻的值尽可能大，以减小它们的 I 2 * R 功率损耗，并增加mosfet放大器的输入电阻。
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