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MOS管知识|传输管TG原理及组合逻辑延时分析-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2021-01-08 

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MOS管知识|传输管TG原理及组合逻辑延时分析-KIA MOS管


传输管TG原理及组合逻辑延时

MOS,即场效应管,四端器件,S、D、G、B四个端口可以实现开和关的逻辑状态,进而实现基本的逻辑门。


NMOS和PMOS具有明显的对偶特性:NMOS高电平打开(默认为增强型,使用的是硅栅自对准工艺,耗尽型器件这里不涉及),PMOS低电平打开。在忽略方向的情况下,采用共S极接法,有如下特性:


MOS,传输管,逻辑延时


第一张图是Vds随Vgs变化的情况,用于描述开关特性。后面的逻辑分析一般基于这个原理。第二张图是Ids随Vds变化的情况的简图,用于描述MOS的静态特性。


MOS的静态特性由两个区域决定:线性区和饱和区。前者一般是动态功耗的主要原因,后者是静态电压摆幅的决定因素。


线性区有:Id=μCoxW/L[(Vgs-Vth)Vds-1/2Vds^2]

饱和区有:Id=1/2μCoxW/L(Vgs-Vth)^2


后面的MOS器件一般基于这两个区域的电学特性来分析总体的电学特性。电压摆幅、面积、噪声容限、功耗、延时基本上都是源自这个区域的原理。


CMOS电路及其改进

(1)最基本的CMOS电路--反相器


MOS,传输管,逻辑延时


MOS,传输管,逻辑延时


这里是反相器的版图草图及电路草图,用于描述反相器的版图位置和逻辑关系。反相器的功能很简单,就是将Vout输出为Vin的反向。


从功耗上看:PMOS和NMOS静态不存在同时导通,即无静态功耗。由于NMOS和PMOS关断的延时,存在动态功耗。


从电压摆幅上看:NMOS可以将Vout拉到L0(逻辑0),PMOS可以将Vout拉到L1,可以保证全电压摆幅。


从面积上看:PMOS和NMOS各一个,标准的CMOS面积,其他电路的面积以其为参考。


从噪声容限上看:CMOS的标准噪声容限,以其为参考对比其他电路。


从延时看:取决于MOS管的工艺,也是其他电路延时的参考。


(2)与门和或门的CMOS实现

使用CMOS实现逻辑,需要的理解上拉网络和下拉网络:


上拉网络:标准CMOS中采用PMOS组成上拉网络,负责实现L1的电压。下拉网络:标准CMOS中采用NMOS组成下拉网络,负责实现L0的电压。


CMOS中,通过上拉网络和下拉网络的互斥来保证静态下无直通电流,即上拉网络和下拉网络的导通状态总是相反。这意味着上拉网络和下拉网络存在对偶关系---串联对并联。


再关注一个网络的导通关系:串联的NMOS需要两个输入均为L1,输出才能完成下拉L0,即Y=AB,不完全与逻辑。


并联的PMOS需要两个输入均为L0,输出才能不完成下拉L0,即Y=A+B,不完全或逻辑。


所以,CMOS的与逻辑和或逻辑如下:


MOS,传输管,逻辑延时


由于以NMOS为串并联参考,所以构建的逻辑需要取非。这个相对于反相器而言,主要是拓展了N网络和P网络,这是后面改进及CMOS与其他电路组合的基础。


TG及其改进

(1)传输管逻辑


MOS,传输管,逻辑延时


传输管和传输门的区别在于否是有全电压摆幅,其实现的逻辑功能是一致的。


可以看到,传输管实现逻辑的关系还是串联和并联,并且串联为与,并联为或,需要使用保护电路防止悬空。输出的逻辑与输入的信号有关,这可以作为可编程的电路的单元。


(2)TG逻辑的改进

TG逻辑的改进还是专注于去除PMOS。根据反向输入的NMOS等于PMOS的思路,如上图3中的结构,可以将PMOS替代。可以看到的传输管不能无损传输,信号需要使用反相器恢复稳定。


组合逻辑分析

(1)电压摆幅

电平需要能够维持在L1和L0两个状态区间内,一旦混乱,就会出现逻辑错误。一般来说,可以使用电平恢复电路维持电压(一个反相器与PMOS构成的电平恢复)。对于长的逻辑链,需要加入BUFF来维持电压(这点在传输管中尤为重要)。


MOS,传输管,逻辑延时


(2)逻辑延时

逻辑延时:这部分是分析组合电路的延时的,采用的反相器为标准的估算方法(软件可以实测,但是设计时需要估值),专业词汇叫逻辑努力。


标准反相器链的延时T=tp0+tp0*f,其中tp0是空载延时,f是扇出。f=Cout/Cin,在同尺寸的反相器串联时,f=1,并联时f=N,N为下一级并联的个数。


常用术语FO4即是扇出为4的设计。对于不同的反相器,则需要使用具体的计算得到比例。反相器链采用f=F^(1/N)的优化规则优化。


基于反相器链,可以推导CMOS门链的延时:

反相器常用P:N的W/L为2:1(综合面积,速度,噪声,功耗的考虑值),以此为基准可以推出同等最优尺寸的与非门尺寸为2:2:2:2,或非门尺寸为4:4:1:1,推算原则就是串联翻倍,并联不变的最优尺寸等效规则。


然后是CMOS门的延时:d=p+gh,p为基准延时tp0的倍数,g为电学努力,h为逻辑努力。


以与非门为例,得出下面的参数:

p=2(等效两个理想反相器),g=4/3(A=2+2,B=2+2),h=Cout/Cin(单链,如果有分支,加上b这个参数,即下一级的负载数)。


优化的方法也是一样的,使得f=F^(1/N),即可实现最优延时。f=gh,F=GBH,大写即为连乘的小写。




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