场效应管图标与特性干货解析-KIA MOS管
场效应管图标符号
场效应管图标：场效应管一般具有3个电极:栅极G、源极S和漏极D(双栅场效应管有4个电极:栅极G1、极栅G2、源极S和漏极D)。
场效应管的栅极G、源极S和漏极D的功能分别对应于双极型晶体管的基极B、发射极E和集电极C。由于场效应管的源极S和漏极D是对称的,实际使用中在多数情况下都可以互换。
场效应管的特性曲线类型比较多,根据导电沟道的不同，以及是增强型还是耗尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。
如果按统一规定正方向，特性曲线就要画在不同的象限为了便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来设定(电流方向)。有关曲线绘于下图之中。
结型场效应管N沟道
结型场效应管P沟道
绝缘栅场效应管N沟道增强型
绝缘栅场效应管N沟道耗尽型
绝缘栅场效应管P沟道增强型
绝缘栅场效应管P沟道耗尽型
四种MOS管的比较:
1.对于P沟道器件，VDD必为负值，衬底必须接在电路中的最高电位上。对于N沟道器件，VDD必为正值， 衬底必须接在电路中的最低电位上。
2.就UGS而言，增强型器件是单极性的，其中P沟道为负值，N沟道为正值，而耗尽型器件则可正可负。
3.N沟道器件，UGS向正值方向增大，ID越大; P沟道器件，UGS越向负值方向增大，ID越大。
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