电路知识|如何防止反向电流损害-KIA MOS管
反向电流损害
反向电流损害：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。
外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。
电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
在特定电路配置下，输出电压有时可能会高于输入电压。 这将导致反向电流状况，并可能损坏电路。那么，应该如何防止反向电流的损害?
以下有3种常见的方法可以防止反向电流——二极管，MOSFET和负载开关 。
二极管
二极管提供最简单且最便宜的反向电流保护方法。 但是，对于典型的二极管，二极管上的正向压降将Vcc限制在0.6V-0.8V，并增加了系统的功耗。
可以选择肖特基二极管以減少正向压降，但它们较昂贵，而且有较多的反向电流泄漏。
MOSFETS ( MOS管 )
使用如下所示2个MOS管串联的好方法。在MOS管关闭时，可以阻止從两个方向上來的电流。 MOS管的压降低于二极管解决方案，但缺点是这种方法需要更多的空间。
负载开关与MOS管一样，负载开关可在关闭时阻止两个方向上的电流。 它们还减少了占地面积和BOM数量。
例如，Texas Instruments 1 的 TPS22963C 负载开关是用于反向电流保护电路。
在通过ON引脚禁用器件并且VOUT被强制为外部电压后，只有非常少量的电流将从VOUT流向VIN。
这将防止在外部电压的电源上产生任何额外的电流负载。
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