深圳市可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

元器件的基础结构

信息来源:本站 日期:2017-06-13 

分享到:

元器件的基础结构

人类研究半导体器件已经超过125年‘n,迄今大约有60种主要的器件以及100种和主要器件相关的变异器件‘q.但所有这些器件均可由几种基本器件结构所组成图1.2(a)是金属半导体( metal-semiconductor)接触界两(interface)的示意图,此种界面由金属和半导体两种材料紧密接触所形成.早在公元1874年即有人研究这种基础结构,可以说,它开创了半导体器件研究的先河.


金属一半导体可以用来做整流接触( rectifying contact).使电流只仇由单一方向流过:或者也可以用来作欧姆接触(ohmic  contact)电流可以双向通过·且落在接触上的电压降很小,甚至可以忽略.此种界面可以用来形成很多有用的器件例如,利用整流接触当(Sate),利用欧姆接触当作漏极(drain)和豫极(source),即形成一个金半场效应晶体臂(metal-semiconductor  field-effec transistoriMESFE7).;棒秽晶体管是一种很熏要的微波器件( microwave device)


第二种基础结构是p-n结(junction),如图1.2(b)所示,是一种由p型(有带正电的载流子)和n型(有带负电的载流子)半导体接触成的结.p-n结是大部分半导体器件的关键基础结构,其理论也可说是半导体器件物理的基础,如果我们结合两个p-n结,亦即加上另一个p型半导体·就可以形成一|个.p-n-p双极型晶体管(p-n-p!bipolartransistorJ.,这是_二种在1947年发明的晶体管,它为半导体工业带来了空前的冲击.而如果我们结合兰个pn结就可以形成p-n-p-n结构·这是一种开关器件(switching device).叫作可控硅器件(thyristor).


第三种基础结构是异质结( heteroj unction  interfade),如图1.2Cc)所示,这是由两种不同材料的半导体接触形成的结.例如,我们可以用砷化镓和砷化铝接触来形成一个异质结.异质结是快速器件和光电器件的关键构成要素


图1.2(d)显示的是金属一氧化物一半导体( metal-oxide-sem.iconductor,MOS)结构,这种结构可以视为是金属·氧化物界面和氧化一半导体界面的结合,用mos结构当作栅极,再用两个p-n结分别当作漏极和源极,就可以制作出金氧半场效应晶体管(metalt-oxide semi-conductor field-effect transistor,MOSFET),对先进的集成电路而言,要将上万个器件整合在一个集成电路芯片(chip,或译晶粒)中,MOSFET是最重要的器件.



联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”

长按二维码识别关注