MOS管栅极反并联二极管及MOS管并联理论-KIA MOS管
MOS管栅极反并联二极管的作用
经常会看到MOS驱动电路中栅极电阻会反并联一个二极管。
MOS使用在半桥电路中的情况特别多，而半桥电路要求上下管具有死区时间，可能由于之前电子技术还不够先进，控制芯片无法生成互补的带死区时间的PWM信号，只能通过MOS“慢开快关”来生成死区。
在栅极电阻上反并联二极管就实现了MOS的快速关断。
另外，大功率MOS一般用在不超过200V的低压场合（当然很早就有600V左右的高压MOS，用在小功率的开关电源中），而且一般不采取负压驱动。
驱动芯片一般也不会有米勒钳位功能。要抑制米勒电容引起的寄生导通只能通过增加栅极电容或者减小关断状态下的栅极回路阻抗，因此反并联二极管对抑制寄生导通有一定作用。
晶体管与MOS管并联理论：
(1)、晶体管具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。
(2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。
相比于晶体管，MOS管的特性更加适合并联电路中的均流，因此当电路中电流很大时，一般会采用并联MOS管的方法来进行分流。
采用MOS管进行电流的均流时，当其中一路电流大于另一路MOS管中的电流时，电流大的MOS管产生的热量多，从而引起导通电阻的增大，减少流过的电流；
MOS管之间根据电流大小的不同来反复调节，最后可实现两个MOS管之间的电流均衡。
注：晶体管也可以通过并联来实现大电流的流通，但是此时需要通过在基极串接驱动电阻来解决各个并联晶体管之间的电流均衡问题。
晶体管(MOS管)并联注意事项：
(1)、各个晶体管(MOS管)的基极(栅极)不能直接相连，要分别串接驱动电阻进行驱动，以防止振荡。
(2)、要控制各个晶体管(MOS管)的开启时间和关断时间保持一致，因为如果不一致，先开启的管子或后关断的管子会因电流过大而击穿损坏。
(3)、为了以防万一，最好在各个晶体管(MOS)管的发射极(源极)串接均流电阻，当然这并非强制选项。
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