5N50MOS管 500V5A参数 原厂直销现货 免费送样-KIA MOS管
5N50MOS管 500V5A参数-产品特点
RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V
符合RoHS
低导通电阻
低栅电荷
5N50MOS管 500V5A参数-产品应用领域
1、适配器
2、充电器
3、SMPS备用电源
5N50MOS管 500V5A参数-主要参数
型号：KIA5N50H
工作方式：5A/500V
漏源电压：500V
连续漏电流:5.0A
功耗:100W
栅源电压:±20V
单脉冲雪崩能：260MJ
峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns
操作和存储温度范围:-55℃至150℃
漏源击穿电压：500V
前向传导:6S
输入电容：525pF
输出电容：64pF
反向转移电容：12pF
5N50MOS管 500V5A参数- TO-252封装
5N50MOS管 500V5A参数-规格书
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KIA半导体专业生产MOS管场效应管厂家（国家高新技术企业）成立于2005年，公司成立初期就明确立足本土市场，研发为先导，了解客户需求，运用创新的集成电路设计方案和国际同步研发技术，
结合中国市场的特点，向市场推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等电源相关产品，产品的稳定性，高性价比，良好的服务，以及和客户充分的技术，市场沟通的严谨态度，在移动数码，LCE,HID,LED,电动车，开关电源，逆变器，节能灯等领域深得客户认可。
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