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三相全桥MOS管驱动电路调试记录-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2021-04-15 

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三相全桥MOS管驱动电路调试记录-KIA MOS管


三相全桥MOS管驱动电路

未接入全桥时,电流转电压测量波形包含噪声,周期约为17us左右,幅值为120mV左右,振荡周期约为1.3us左右,如下图所示。


经过运放放大10倍后的波形中噪声减弱,猜测是因为运放内部的频带限制使高频噪声衰减,同时猜测该高频噪声来自于开关电源。


三相全桥 MOS管 驱动电路


接入MOS管并且加入24V电压后,IR2136的输出驱动电压如图所示:


测试程序:A相的上下MOS管以10ms导通时间交替导通;B相与C相都锁定不导通。


低端MOS管如图黄色通道1所示,导通完全正常;可是高端MOS管在导通接近2ms后就直接关闭,目前原因尚不清楚。


三相全桥 MOS管 驱动电路


与上图对应的A相桥臂输出波形如图所示:


可见高端MOS管的导通与上图的驱动波形相对应。


三相全桥 MOS管 驱动电路


后续任务:

阅读IR2136芯片数据手册,弄清自举驱动芯片的具体工作原理,并弄清楚导通时间的受影响因素。


增加测试:减小交替导通时间为2ms左右,观察MOS管桥臂的导通情况。


可能是因为自举电容充电时增加了限流电阻



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