KIA6N70 MOS管700V5.8A现货直销 原厂供应-KIA MOS管
KIA6N70 MOS管700V5.8A参数规格
这种功率MOSFET是使用KIA的先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术特别适合最小化状态上的电阻,提供优越的开关性能,并在雪崩和换相模式下经受高能量脉冲。这些器件适用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
KIA6N70 MOS管700V5.8A-特征
RDS（ON）典型值= 1.8Ω@ V GS = 10v
低栅极电荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切换
100%雪崩测试
改进的dt／dt能力
产品型号：KIA6N70
工作方式：5.8A/700V
漏源电压：700V
栅源电压：±30V
漏电流连续：5.8*A
脉冲漏极电流：150mJ
雪崩能量：4.8A
耗散功率：95W
热电阻：110℃/W
漏源击穿电压：700V
温度系数：0.7V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：650 PF
输出电容：95 PF
上升时间：40 ns
封装形式：TO-251、TO-252、TO-220F
KIA6N70 MOS管700V5.8A-封装图
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