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MOS管80V80A可替代飞虹90N08 KNX3308B​ 免费送样-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2021-05-14 

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MOS管80V80A可替代飞虹90N08 KNB3308B 免费送样-KIA MOS管


80V80A可替代飞虹90N08 KNB3308B


型号:KNB3308B

电流:80A

电压:80V

漏源极电压:80V

栅源电压:±25V

雪崩电流:40A

雪崩能源:440MJ

接头和储存温度范围:-55℃至+175℃


80V80A可替代飞虹90N08 KNB3308B产品特性

1、RDS(ON)=7.2mΩ(typ)=VGS=10V

2、无铅绿色设备

3、低Rds-最小化导电损耗

4、高雪崩电流


80V80A可替代飞虹90N08 KNB3308B引脚图及封装


80V80A可替代飞虹90N08 KNB3308B

KNB3308B领域用途

1、电力供应

2、直流变换器


KNB3308B电路图

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MOS管KNB3308B产品附件

以下为KNB3308B产品PDF格式的详细资料,查看详情请点击下图。如有需要请联系我们,KIA半导体将会竭诚为您服务!

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