80V150A MOS管KNX2808A原厂直销 价格优势-KIA MOS管
80V150A MOS管KNX2808A产品特点
RDS(on)=4.0mΩ（typ）.@VGS=10V
100%雪崩测试
可靠、坚固耐用
无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）
80V150A MOS管KNX2808A主要参数
产品型号：KNX2808A
工作方式：150A/80V
漏源电压：80V
栅源电压：±25V
漏电流连续：150A
脉冲漏极电流：660A
雪崩能量：1.1***mJ
耗散功率：178W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：80V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：6109PF
输出电容：995PF
上升时间：18ns
80V150A MOS管KNX2808A封装图
80V150A MOS管KNX2808A规格书
查看及下载规格书，请点击下图。
KIA半导体专业生产MOS管场效应管厂家（国家高新技术企业）成立于2005年，公司成立初期就明确立足本土市场，研发为先导，了解客户需求，运用创新的集成电路设计方案和国际同步研发技术，结合中国市场的特点，向市场推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等电源相关产品，产品的稳定性，高性价比，良好的服务，以及和客户充分的技术，市场沟通的严谨态度，在移动数码，LCE,HID,LED,电动车，开关电源，逆变器，节能灯等领域深得客户认可。
这过去的2007年，KIA一韩国技术研发人员为核心的设计团队，成功完成最新型工艺为代表MOSFET产品的设计和生产定型，大幅度降低了产品的RDS(ON)，提高客户产品的转换效率，并率先将该类型产品在中国市场推出，产品的相关测试数据均达到欧美同类产品，同样这高温可靠性和稳定性方面表现优秀。KIA半导体持续改进，永不止步期待与您一起努力向市场提供，更高性价比产品，共同提升核心竞争力。
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