650V10AMOS管 KNX6165A资料 原厂免费送样 -KIA MOS管
650V10AMOS管 KNX6165A资料-简介
KNX6165A通道增强型硅栅功率MOSFET是为高压设计的。高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源,开关电源等。基于半桥拓扑的功率因数校正电子灯镇流器。
650V10AMOS管 KNX6165A资料-特点
1、RDS(ON),typ=0.6Ω@VGS=10V
2、符合ROHS标准
3、低栅电荷最小开关损耗
4、快速恢复体二极管
650V10AMOS管 KNX6165A资料-参数
产品型号:KNX6165A
工作方式:10A/650V
漏源电压:650V
栅源电压:±20V
漏电流连续:10A
脉冲漏极电流:40A
雪崩能量:800mJ
耗散功率:216W
热电阻:62℃/W
漏源击穿电压:650V
栅极阈值电压:2.0V
输入电容:1554PF
输出电容:153PF
上升时间:31ns
650V10AMOS管 KNX6165A资料-封装
MOS管 KNX6165A规格书
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