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mos器件漏极偏压详解原因 n沟道MOSFET

信息来源:本站 日期:2017-07-06 

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MOSFET按比例减少MOSFET尺寸的缩减在一开端即为一持续的趋向.在集成电路中,较小的器件尺寸可到达较高的器件密度,此外,较短的沟道长度町改善驱动电流(ID~1/L)以及工作时的特性,但是,由于电子器件尺寸的缩减,沟道边缘(如源极、漏极及绝缘区边缘)的扰动将变得愈加重要,因而器件的特性将不再恪守长沟道近似的假定.



MOSFET按比例减少标准


当器件尺寸缩减时,必需将短沟道效应降至最低水平,以确保正常的器件特性及电路工作,在器件按比例减少设计叫需求一些原则,一个扼要维持长沟道特性的办法为将一切的尺寸及电压,除上一按比例减少要素k(>1),如此内部电场将坚持好像长n沟道MOSFET普通,此办法称为定电场按比例减少.


不同器件参数与电路特性因子的定电场按比例减少的标准,随器件尺寸的缩减,其电路性能(速度以及导通时的功率损耗)得到增强.但是,在实践的IC制造中,较小器件的内部电场常常被迫增加而很难坚持固定.这主要是由于一些电压因子(如电源供给、阈值电压等)无法恣意缩减,由于亚阈值摆幅是无法被按比例减少的,所以,假若阈值电压过低,则关闭态(offstate)(VG=0)的漏电流将会显著增加,因而,待机功率(standbypower)损耗也将随之上升。经过按比例减少标准,方能制造出具有沟道长度短至20nm、十分高的跨导(>1000ms/mm)以及合理的亚阈值摆幅(约120mV/decade)的MOSFET,



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