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120V130A低内阻MOS管 KNX2912A参数​ 封装TO263 原厂送样-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2021-09-06 

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120V130A低内阻MOS管 KNX2912A参数 封装TO263 原厂送样-KIA MOS管


120V130A低内阻MOS管 KNX2912A产品描述

KNX2912A,采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(导通)、低栅极电荷。可用于多种应用。


120V130A低内阻MOS管 KNX2912A产品特征

VDS=120V,ID=130A RDS(ON)(typ.)=6.0mΩ@ VGS=10V

低rdson的高密度电池设计

充分体现了雪崩电压和电流的特性

具有良好的稳定性和均匀性

封装性能优良,散热性能好


120V130A低内阻MOS管 KNX2912A产品应用

电源切换应用

硬开关和高频电路

不间断电源


120V130A低内阻MOS管 KNX2912A封装图


120V130A低内阻MOS管 KNX2912A


120V130A低内阻MOS管 KNX2912A参数



120V130A低内阻MOS管 KNX2912A


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KNX2912A规格书点击下图

120V130A低内阻MOS管 KNX2912A


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