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场效应管的基础知识,命名方法,参数

信息来源:本站 日期:2017-07-07 

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场效应管场效应管是应用电场效应来控制电流变化的放大元件。它与晶体管相比,具有输入阻高、噪声低、热稳定性好等优点,因此得到了疾速开展与应用。场效应管与晶体管同为放器件,但工作原理不同:晶体管是电流控制器件,在一定条件下,其集电极电流受基极电控制;而场效应管是电压控制器件,电了电流受栅极电压控制。

场效应管的基本知识
定义

场效应晶体管简称场效应管。它由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高,噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成,没有二次击穿现象、平安工作区域宽等优点。在开关电源中常用的是金属—氧化物—半导体场效应管MOSFET(MetalOxide Semicoductor Field Effect Tran-sistor),它是由金属、氧化物(Sio2或SiN)半导体三种资料制成的,是应用电压控制电流以完成放大作用的半导体器件。

2.功用

①场效应管可应用于放大。由于场效应管的放大器的输入电阻很高,所以其耦合电容的容量能够较小:不用运用电解电容。

② 场效应管能够用做电子开关。

③场效应管的输入阻抗很高,因而它十分合适用于阻抗变换。它常用在多级放大器的输入级停止阻抗变换。
④场效应管能够用做可变电阻。

⑤场效应管能够便当地用做恒流源。


3.场效应管的分类

场效应管分为结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管则因栅极与其他电极完整绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为普遍的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属—氧化物—半导体场效应管,MOSFET);此外还有PMOS,NMOS和UMOS功率场效应管,以及最近刚问世的,πMOS场效应管等。按沟道半导体资料的不同,结型和绝缘栅型场效应管各分为N沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分红耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型,MOS栅型场效应管既有耗尽型的,也有加强型的。场效应晶体管可分为结型场效应晶体管和Mos场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和加强型,P沟耗尽型和加强型四大类。



4.主要参数

1)直流参数

开启电压UT:是指加强型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

夹断电压uGS(Off,(也能够用UP):是指加强型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。

饱和漏极电流IDss:指耗尽型绝缘栅场效应管在UGS=o时的漏极电流。

输入电阻RDS(DC):因iG=0,所以输入电阻很大。JPET的输入电阻大于107Ω,MOSFET的输入电阻大于1012Ω。

2)交流参数  低频跨导(互导)gm:反映了栅源电压对漏极电流的控制才能,且与工作点有关,是转移特性曲线上过Q点切线的斜率。

3)极限参数  最大漏—源电压U(BR)DS:漏极左近发作雪崩击穿时的UDs(漏源电压)。  最大栅—源电压U(BR)CS:栅极与源极间PN结的反向击穿电压。  最大耗散功率PDM:与晶体管的PcM类似,当功率超越PDM时,场效应管可能烧坏。


场效应管的命名办法

第一种命名办法:与双极型晶体管相同,其中第三位字母为J代表结型场效应管,为0代表绝缘栅场效应管;

第二位字母代表资料,其中D是P型硅,其反型层是N沟道,C是N型硅,其反型层是P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应品体管,3D06C是绝缘栅型N沟道场效应晶体管。第二种命名办法:CS X x#,其中CS代表场效应管,xx是以数字代表型号的序号,#是用字母代表同一型号中的不同规格,如CS14A、CS45G等。


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