低内阻250V50A KNX3725A参数资料 MOS管原厂送样-KIA MOS管
低内阻250V50A KNX3725A参数资料
低内阻250V50A KNX3725A特征:
专有新平面技术
RDS(ON),typ.=45mΩ@VGS=10V
低栅极电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
低内阻250V50A KNX3725A应用领域:
1、DC-DC转换器
2、开关电源和电机控制
3、其他
低内阻250V50A KNX3725A参数资料
型号：KNX3725A
工作方式：50A/ 250V
漏源电压：250V
门源电压：±20
持续漏电流：50A
单脉冲雪崩能量：1250MJ
峰值二极管恢复dv/dt：5.0V/ns
操作和储存温度范围：-55℃至150℃
漏源击穿电压：250V
输入电容：4000pF
输出电容：510pF
反向转移电容：255pF
漏源二极管正向电压：1.5V
连续漏源电流：50A
脉冲漏源电流：200A
反向恢复时间：185ns
低内阻250V50A KNX3725A封装图
MOS管原厂：
KIA半导体专业制造MOS管，给客户提供优越的售后技术服务及前期的免费送样等。
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴，主动了解客户需求，不断研发创新，为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。
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