结型场效应管
1.构造与符号
结型场效应管的构造表示图及其表示符号如图2-31所示。
在图2-31(a)中，s表示Source，源极；D表示Drain，漏极；G表示Gate，栅极。在漏极和源极之间加上一个正向电压后，N型嗲电子半导体中的多数载流子（电子）便能够导电了。这种导电沟道是N型的场效应管，称为N沟道结型场效应管。
图2-31 (b)中的场效应管在P型硅棒的两侧制成了高掺杂的N型区(N+)，其导电沟道为P型，多数载流子为空穴。
2．结型场效应管的特性曲线
1)转移特性曲线
转移特性曲线表达当UDS一定时，栅源电压Ucs对漏极电流iD的控制造用，即
理论剖析和实测结果标明，iD与ucs契合平方律关系，即
式中，IDSS为饱和电流，表示UGS=o时的iD值；UP为夹断电压，表示UGS=Up时iD为零。
由此可见，结型MOS场效应管转移特性曲线是用来阐明在一定的漏源电压u陌时，栅源电压UGS和漏极电流iD之间变化关系的曲线。JFET的转移特性曲线如图2-32所示。
为了使输入阻抗大（不允许呈现栅流ic），也为了使栅源电压对沟道宽度及漏极电流有效地停止控制，PN结一定要反偏，因而在N沟道JFET中，uGS必需为负值。
2、输出特性曲线
输出特性曲线表达当栅源电压UGS，不变时，漏极电流iD与漏源电压UDS的关系，即
由此可见，输出特性曲线表示的足以Ucs为参变量时iD与UDS的关系。JFET的输出特性曲线如图2-33所示，依据特性曲线的各局部特征，能够将其分为四个区域，如图中所示。
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