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结型场效应管的特性曲线的方案

信息来源:本站 日期:2017-07-17 

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结型场效应管

1.构造与符号

结型场效应管的构造表示图及其表示符号如图2-31所示。

   在图2-31(a)中,s表示Source,源极;D表示Drain,漏极;G表示Gate,栅极。在漏极和源极之间加上一个正向电压后,N型嗲电子半导体中的多数载流子(电子)便能够导电了。这种导电沟道是N型的场效应管,称为N沟道结型场效应管。

   图2-31 (b)中的场效应管在P型硅棒的两侧制成了高掺杂的N型区(N+),其导电沟道为P型,多数载流子为空穴。

2.结型场效应管的特性曲线

1)转移特性曲线

转移特性曲线表达当UDS一定时,栅源电压Ucs对漏极电流iD的控制造用,即

理论剖析和实测结果标明,iD与ucs契合平方律关系,即

式中,IDSS为饱和电流,表示UGS=o时的iD值;UP为夹断电压,表示UGS=Up时iD为零。

   由此可见,结型MOS场效应管转移特性曲线是用来阐明在一定的漏源电压u陌时,栅源电压UGS和漏极电流iD之间变化关系的曲线。JFET的转移特性曲线如图2-32所示。

   为了使输入阻抗大(不允许呈现栅流ic),也为了使栅源电压对沟道宽度及漏极电流有效地停止控制,PN结一定要反偏,因而在N沟道JFET中,uGS必需为负值。

2、输出特性曲线

输出特性曲线表达当栅源电压UGS,不变时,漏极电流iD与漏源电压UDS的关系,即

由此可见,输出特性曲线表示的足以Ucs为参变量时iD与UDS的关系。JFET的输出特性曲线如图2-33所示,依据特性曲线的各局部特征,能够将其分为四个区域,如图中所示。