受800V架构影响|电动车市场对SiC晶圆需求暴增-KIA MOS管
电动车市场对6英寸SiC晶圆需求暴增
随着新能源汽车的发展和普及，很多车主的续航焦虑逐步攀升，厂商也在进行着技术革新，旨在延长续航里程及缩短充电时间，整车平台高压化趋势明显。
据TrendForce报告显示，随着电动车渗透率不断升高，以及整车架构朝800V高压方向迈进，预估2025年全球电动车市场对6英寸SiC晶圆需求可达169万片。
原因是电动车市场对于延长续航里程及缩短充电时间有着极大需求，整车平台高压化趋势愈演愈烈，对此各大车企已陆续推出800V高压车型，例如保时捷、奥迪、现代等。
800V电气架构的革新将促使耐高压SiC功率器件全面替代Si IGBT，进而成为主驱逆变器标配，因此SiC深受车企追捧。Tier1厂商Delphi已率先实现800V SiC逆变器量产，BorgWarner、ZF、Vitesco相继跟进。
目前来看，电动车已成为SiC核心应用场景，其中OBC（车载充电器）和DC-DC转换器组件对于SiC器件的应用已经相对成熟，而基于SiC的主驱逆变器仍未进入大规模量产阶段。
对此， STM、Infineon、Wolfspeed、Rohm等功率器件商已与Tier1及车企展开深入合作，以推进SiC上车进程。
其中，上游SiC衬底材料环节将成为产能关键制约点，其制程复杂、技术门槛高、晶体生长缓慢。
现阶段用于功率器件的N型SiC衬底仍以6英寸为主，尽管Wolfspeed等国际IDM大厂8英寸进展超乎预期，但由于良率提升及功率晶圆厂由6英寸转8英寸需要一定的时间周期，因此，至少未来5年内6英寸SiC衬底都仍为主流。
而随着电动车市场的爆发，SiC逐渐大规模上车应用，其成本也将直接决定汽车800V高压架构升级进度。
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