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MOS构造优点是什么,特点有什么优势?工作原理是什么?

信息来源:本站 日期:2017-07-25 

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场效应管TMOS,VMOS

MOSFET构造,从纵剖面来看,栅极(栅区)、源极(源区)、漏极(漏区)大致排列在同不断线上,这样的构造被称为横向沟道(Ltcral Channel)构造。同时,栅极,精确一点说是“栅区”与漏区、源区的分界面大致也是平面状的,这种栅极构造称为平面栅极(Planar Gate)构造。


上述构造的优点是结电容小,比拟合适于高频小功率应用,缺乏之处是源极与漏极相距比拟远,导电沟道的宽度有限,不太合适于功率应用。“凹槽。形的“槽栅”(Trench Gate)构造可以增加栅区与源区和漏区的接触面积,增加对电流的控制才能。垂直沟道构造是将源极与漏极配置在栅极的-侧,漏极与源极则是相向排列,这样的沟道构造缩短了沟道长度,合适于大电流应用。


功率MOS场效应管大都采用“垂直”沟道和“槽栅”构造,合起来简称“沟槽栅”结构。电子显微镜下的照片以显现两种沟道和栅极构造的主要区别(图1.14)。



TMOS (TrenchMOS)的称号固然指的是槽栅构造的MOSFET,但由于槽栅与垂直沟道常常是同时应用的,因而它也同时指垂直沟道构造,即“沟槽栅。构造的功率MOSFET

最先应用的槽栅构造的剖面外形与英文字母“v”很类似(图1. 15),VMOS的最初称号就是由此而来,它是“V-groove Vertical Metal Oxide Semiconduc-tor”的缩写,曾经简称为“VVMOS”,至今依然可以在一些公开的材料中见到。这种依据栅极(栅区)的剖面外形停止的技术命名办法也被沿用了下来,以后陆续呈现了UMOS、πMOS等


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