4.8A30V场效应管 MOS管KIA3400价格 资料 SOT-23封装-KIA MOS管
4.8A30V场效应管 MOS管KIA3400简介
KIA半导体多年来一直坚持创新技术，专注自主研发及制造MOS管，引进多台国外先进设备，业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项，并掌握多项场效应管核心制造技术。
KIA3400采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（on），低栅极电荷并在低至2.5V的栅极电压下运行。该装置适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3400是无铅的（符合ROHS和Sony 259规范）。KIA3400是一款绿色产品订购选项。KIA3400在电气上是相同的。
4.8A30V场效应管 MOS管KIA3400特征
VDS(V)=30V
RDS(on)<40mΩ(VGS=10V,ID=4.8A)
RDS(on)<42mΩ(VGS=4.5V,ID=4.0A)
RDS(on)<55mΩ(VGS=2.5V,ID=3.5A)
4.8A30V场效应管 MOS管KIA3400封装图
4.8A30V场效应管 MOS管KIA3400参数
型号：KIA3400
漏源电压：30V
栅源电压：±12V
持续漏电流：4.8A
脉冲漏极电流:30A
结温和储存温度范围:-55℃-150℃
漏源击穿电压：30V
4.8A30V场效应管 MOS管KIA3400
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