N沟道MOS管KIA3414 4.2A20V SOT-23 场效应管原厂送样-KIA MOS管

KIA3414采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（on），低栅极电荷门极电压低至1.8V。该装置适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3414无铅（符合ROHS和Sony 259规范）。KIA3414是一款绿色产品订购选项。KIA3414在电气上是相同的。

VDS (V)=20V

ID=4.2A

RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A)

RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A)

产品型号：KIA3414

工作方式：4.2A/20V

漏源电压：20V

栅源电压：±12A

漏电流连续：4.2A

脉冲漏极电流：15A

耗散功率：1.4W

热电阻：70℃/W

漏源击穿电压：20V

栅极阈值电压：-0.4V

输入电容：436PF

输出电容：66PF

上升时间：6.3ns

封装形式：SOT-23

N沟道MOS管KIA3414 4.2A20V

	KIA3414 4.2A/20V
产品编号	KIA3414 N沟道MOSFET
产品特征	VDS (V)=20V ID=4.2A RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A) RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A)
适用范围	适用作为负荷开关或在PWM
封装形式	SOT-23
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厂家	KIA原厂家
网址	ww.kiaic.com
PDF总页数	总5页