【电路精选】MOS管门极驱动电路图文-KIA MOS管
MOS管门极驱动电路
（1)直接驱动
电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10Ωm到100Ωm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断。
（2)互补三极管驱动
当MOS管的功率很大时，而PWM芯片输出的PWM信号不足已驱动MOS管时，加互补三极管来提供较大的驱动电流来驱动MOS管。
PWM为高电平时，三极管Q3导通,驱动MOS管导通;PWM为低电平时，三极管Q2导通，加速MOS管的关断;电阻R1和R3的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10Ωm到100Ωm,R2是为关断时提供放电回路的;二极管D1是加速MOS的关断。
（3)耦合驱动(利用驱动变压器耦合驱动)
MOS管门极驱动电路：当驱动信号和功率MOS管不共地或者MOS管的源极浮地的时候，比如Buck变换器或者双管正激变换器中的MOS管，利用变压器进行耦合驱动如图:
驱动变压器的作用:
1.解决驱动MOS管浮地的问题;
2.解决PWM信号与MOS管不共地的问题;
3.一个驱动信号可以分成两个驱动信号;
4.减少干扰。
MOS管门极驱动电路图
由于换能器发出的超声波前辐射面声压同施加电压对时间的导数dU/dt成正比，尽量缩短激励脉冲上升时间至关重要。激励脉冲的上升时间主要取决于MOS管的导通速度。
而驱动这种大功率的MOS管相当于驱动容性负载，尤其是工作在较高频率下时,栅极电容的充放电会影响MOS管的开关速度。因此设计了由射极跟随器组成的高速化驱动电路来驱动MOS管,以提高其导通与关断速度。
下图为MOS管的门极驱动电路的实现方案。由于射极跟随器吸收电流的能力很差,所以在射极跟随器的输出上附加了PNP三极管Q2,使MOS管关断时放电高速化。
当Q1的基极为高电平时, Q1饱和导通,+12V电源通过二极管对Q的门极输入电容进行高速充电,使Q快速导通;当Q1的基极为低电平时，Q的门极输入电容由Q2的发射极向集电极快速放电,使Q迅速关断。
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