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电动工具、锂电保护板推荐MOS管 KCX2704A:40V 150A-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2022-09-23 

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电动工具、锂电保护板推荐MOS管 KCX2704A:40V 150A-KIA MOS管



KIA MOS管-KCX2704A:40V 150A KCX2704A是由国内专注研发的优质MOS管厂家生产。KCX2704A是一款SGT工艺产品,是使用LVMOS技术生产的N沟道增强型功率MOSFET。改进的工艺和单元结构特别定制,以最小化导通电阻,提供优越的开关性能。该设备广泛用于UPS和逆变器系统的电源管理等。


随着手机快充、电动汽车、无刷电机和锂电池的兴起,中压MOSFET的需求越来越大,中压功率器件开始蓬勃发展,因其巨大的市场份额,国内外诸多厂商在相应的新技术研发上不断加大投入。SGT MOSFET作为中MOSFET的代表,被作为开关器件广泛应用于电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统,是核心功率控制部件。


SGT MOSFET结构具有电荷耦合效应,在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽,将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布,在采用同样掺杂浓度的外延材料规格情况下,器件可以获得更高的击穿电压。


较深的沟槽深度,可以利用更多的硅体积来吸收EAS能量,所以SGT在雪崩时可以做得更好,更能承受雪崩击穿和浪涌电流。在开关电源,电机控制,动力电池系统等应用领域中,SGT MOSFET配合先进封装,非常有助于提高系统的效能和功率密度。


SGT技术优势:

提升功率密度

SGT结构相对传统的Trench结构,沟槽挖掘深度深3-5倍,可以横向使用更多的外延体积来阻止电压,显著降低了MOSFET器件的特征导通电阻(Specific Resistance),例如相同的封装外形PDFN5*6,采用SGT芯片技术,可以得到更低的导通电阻。


极低的开关损耗

SGT相对传统Trench结构,具有低Qg 的特点。屏蔽栅结构的引入,可以降低MOSFET的米勒电容CGD达10倍以上,有助于降低器件在开关电源应用中的开关损耗。另外,CGD/CGS的低比值也是目前同步整流应用中抑制shoot-through的关键指标,采用SGT结构,可以获得更低的CGD/CGS比值。


更好的EMI优势

SGT MOS结构中的内置电阻电容缓冲结构,可以抑制DS电压关断时的瞬态振荡,开关电源应用中,SGT结构中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件关断时dv/dt变化带来的尖峰和震荡,进一步降低应用风险。


40V 150A KCX2704A特点:

VGS=10V时,RDS(ON)=1.25mΩ(典型值)

低栅极电荷

低Crss

快速切换

额定极限dv/dt

100%雪崩测试

无铅电镀

符合RoHS


KCX2704A漏源击穿电压40V,漏极电流最大为150A;开启延迟典型值为22nS,关断延迟时间典型值为87nS,上升时间64nS,下降时间28nS,反向传输电容43pF,反向恢复时间67nS,正向电压的典型值1.4V。


图:KCX2704A引脚配置


图:KCX2704A规格书


【KCX2704A应用】

40V 150A MOS管KCX2704A推荐用于锂电池保护板、无人机电调、同步整流、电动工具等。



KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业,竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴,主动了解客户需求,不断研发创新,为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。



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