18n50场效应管参数代换 18n50规格书 引脚-KIA MOS管
18n50场效应管参数-介绍
开关电源产品广泛应用于工业自动化控制、军工设备、科研设备、LED照明、工程设备、通讯设备等等；一款优质的场效应管应用在开关电源中能够提升效率，减低成本。
KIA半导体这款18N50H是N沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高功率器件设计，广泛应用于开关电源、DC-AC电源转换器，DC-DC电源转换器，紫外线灯电子镇流器等产品中。在使用方面能够匹配型号为FQP16N50的国外场效应管，完美代换FQP18N50型号的场效应管。
18n50场效应管参数-特征
RDS(on)=0.25Ω@VGS=10V
低栅电荷
快速切换能力
提高了dv/dt能力
18n50场效应管参数-封装
18n50场效应管参数详情
工作方式：18A/500V
漏源电压：500V
栅源电压:±30V
脉冲漏电流:72A
峰值二极管恢复dv/dt:4.5V/ns
输入电容：2500pF
输出电容：400pF
连续漏源电流：18A
18n50场效应管参数规格书
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KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域，不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源，也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA半导体提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品！
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