场效应管1000v 13a 64100A引脚图 mos管参数-KIA MOS管
KNX64100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为13A；RDS (on) = 0.85mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于DC-DC转换，电机控制等。封装形式：TO-247；脚位排列位GDS。
场效应管1000v 13a 64100A-特点
快速切换
RDS（ON），典型=0.85Ω@VGS=10V
低栅极电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
场效应管1000v 13a 64100A-应用
DC-DC转换器
直流斩波器
交流电机控制
场效应管1000v 13a 64100A-封装图
场效应管1000v 13a 64100A-参数
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