svt035r5nd参数,035r5nd代换,100A 30V场效应管-KIA MOS管
KNX3203B N沟道增强型场效应管是采用KIA半导体CRM(CQ)先进沟槽MOS技术工艺制造，这种先进的技术经过特别定制，使该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能、极高的雪崩击穿耐量，可最大限度地减少导通损耗，卓越高效。
KNX3203B漏源击穿电压100V, 漏极电流最大值为30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式：TO-252，能够匹配代换svt035r5nd和nce03h11k型号参数场效应管。
svt035r5nd参数中文资料
svt035r5nd 100A 30V N沟道增强型场效应管
svt035r5nd参数代换,100A 30V,KNX3203B-特点
RDS（开）=3.1mΩ@ VGS=10V
采用CRM（CQ）先进的沟槽MOS技术
导通电阻极低RDS（接通）
优秀的QgxRDS（on）产品（FOM）
符合JEDEC标准
svt035r5nd参数代换,100A 30V,KNX3203B-应用
电机控制与驱动
电池管理
UPS不间断电源
svt035r5nd参数代换,100A 30V,KNX3203B-封装图
svt035r5nd参数代换,100A 30V,KNX3203B参数
KNX3203B原厂介绍
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴，主动了解客户需求，不断研发创新，为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。
保护板专用MOS管物料选型
2串保护板专用料：KND3502A(低启1.8V)
3-4串保护板专用料：KIA50N03AD、KIA100N03AD/KND3203B/KIA2803A/KND3204A
7-10串保护板专用MOS：KND3306B/KNB3306B（68V）
10串-16串保护板专用MOS：KNB3308A/KNB3208A/KIA75NF75KNB3308B/KNB2808A
17串保护板专用MOS：KNB3208A（85V）
17-21串保护板专用MOS:KNB2910A/KNP2910A
锂电池保护板在日常中会经常接触到的各种各类的电器，它最主要的元器件是IC和MOS管，MOS管对锂电池保护板作用的非常大的。
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