小家电控制板,30V 50A,NCE3050 场效应管替代-KIA MOS管
小家电控制板,30V 50A,NCE3050参数引脚
KIA50N03A场效应管是采用KIA半导体先进工艺制造，具有较低的导通电阻、优越的开关性能、极高的雪崩击穿耐量，可最大限度地减少导通损耗，卓越高效。KIA50N03A可完美替代NCE3050，非常适合应用于小家电控制板；KIA50N03A漏源击穿电压30V, 漏极电流最大值为50A ,RDS(on) =6.5mΩ(typ),ID=50A，封装形式：TO-252。
小家电控制板,30V 50A,NCE3050替代
KIA50N03A
VDSS=30V,RDS(on)=6.5mΩ,ID=50A
Vds=30V
RDS(ON)=6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
RDS(ON)=9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
先进的沟槽处理技术
超低导通电阻的高密度电池设计
全特性雪崩电压和电流
小家电控制板,30V 50A,NCE3050替代
KIA50N03A应用领域：
1、电源切换应用
2、开关和高频电路
3、不间断电源
小家电控制板,30V 50A,NCE3050替代
产品型号：KIA50N03A
工作方式：50A/30V
漏源极电压:30V
栅源电压:±20V
连续漏电流：50A
脉冲漏电流 ：200A
操作接头和存储温度范围:-55℃至150℃
结对壳热阻：1.8℃/W
对周围环境的电阻:50℃/W
30V 50A KIA50N03A封装引脚图
30V 50A KIA50N03A产品附件
以下为KIA50N03A产品PDF格式的产品详细资料，查看详情请点击下图。
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