ncep15t14参数,ncep15t14代换,ncep15t14场效应管-KIA MOS管
ncep15t14参数引脚图
ncep15t14场效应管VDS =150V，ID =140A，RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V，能够使用KIA半导体的KNX2915A型号替代，KNX2915A漏源击穿电压150V，漏极电流最大为130A；RDS（on）（典型值）=10mΩ@Vgs=10V，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS（ON）和Qg极低，导通和开关功率损耗都被最小化。
KNX2915A可以匹配ncep15t14型号场效应管进行使用。国产优质好货2915A是电机控制和驱动、不间断电源的理想选择。封装形式：TO-220、TO-263。
ncep15t14参数,ncep15t14代换2915A资料
KNX2915A特点
RDS（ON）=10mΩ（典型值）@VGS=10V
采用CRM（CQ）先进的沟槽技术
导通电阻极低RDS（接通）
优秀的QgxRDS（on）产品（FOM）
符合JEDEC标准
ncep15t14参数,ncep15t14代换2915A封装
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