110n8f5场效应管参数,100n08参数及代换,引脚,2908B-KIA MOS管
110n8f5场效应管参数,100n08参数及代换,引脚,2908B-KIA MOS管
110n8f5场效应管参数资料
FHP110N8F5B场效应管具有147A电流、85V电压， RDS(on) = 5.5mΩ(max) 最高栅源电压@VGS =±20 V；封装形式：TO-263、TO-220。
Vgs（±V）：20；
VTH（V）：2-4；
ID（A）：147A；
BVdss（V）：85V
100n08参数资料
FHP100N08场效应管参数：
Vgs（±V）：25；
VTH（V）：2.5-3.5；
ID（A）：100-120；
BVdss（V）：80；
RDS (on) = 7.5mΩ(typ)@V GS =10V；
封装形式：TO-220/TO-263，脚位排列位GDS。
110n8f5,100n08代换2908B参数资料
KNX2908B场效应管采用先进的N沟道沟槽技术，漏源击穿电压80V, 漏极电流最大值为130A ,RDS(on) =5.0mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式是TO-220、TO-263、TO-3P；具有高雪崩耐量、可靠性高、低Qgd、低RDSon的特点，可最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能。
这一款130A、80V大流量、低电压的MOS管能够代换110n8f5和100n08这两款型号来使用。110n8f5,100n08代换MOS管KNX2908B广泛应用于DC/DC电源、DC-AC逆变器、开关电源、UPS、BLDC电机驱动及锂电池保护板上。
KNX2908B特性：
VDS=80V，ID=130A，RDS（ON）（典型值）=5.0mΩ@VGS=10V
低Rdson的高密度电池设计
完全表征雪崩电压和电流
稳定性和均匀性好，EAS高
出色的封装，散热良好
110n8f5,100n08代换2908B参数规格书
KIA半导体产生的MOS管场效应管已经广泛应用于智能家居、新能源电子领域：如智能音响、家用电器、LED照明、逆变电源、电瓶车、电脑电源、充电器、汽车电子等行业，竭诚为客户提供优质的产品以及配套服务。可根据客户需求进行量身定制MOS管产品以及免费试样、技术支持。
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