广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

2301场效应管参数,2301场效应管代换,引脚图-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2023-11-09 

分享到:

2301场效应管参数,2301场效应管代换,引脚图-KIA MOS管


2301场效应管参数,2301场效应管代换资料

KIA2301漏源击穿电压-20V,漏极电流为-2.8A;极低RDS(on)的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠;封装形式:SOT-23KIA2301应用于小家电方案,高效率低损耗。

VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A

VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A


2301场效应管参数,引脚图

2301场效应管参数,代换,引脚图

工作方式:-2.8A/-20V

漏源电压:-20V

栅源电压:±8V

连续漏电流:-2.8A

雪崩电流:-1.6A

耗散功率:1.25W

热电阻:100℃/W

漏源击穿电压:-20V

栅极阈值电压:-0.5V

输入电容:415 PF

输出电容:223 PF

上升时间:36ns


2301场效应管参数,2301场效应管代换

2301场效应管参数,代换,引脚图

2301场效应管参数,代换,引脚图

下载及查看规格书,请点击下图。

2301场效应管参数,代换,引脚图


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

免责声明:本网站部分文章或图片来源其它出处,如有侵权,请联系删除。