09n03场效应管参数,09n03la代换,KIA100N03-KIA MOS管
09n03场效应管参数,09n03la代换资料
KIA100N03场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V；采用KIA半导体的先进平面条纹DMOS技术生产；封装形式：TO-251/252/263/220。这种平面条纹DMOS技术专门针对最小化通态电阻，提供了优越的开关性能好，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲。KIA100N03场效应管适用于高效率开关电源，有功功率因数校正基于半桥拓扑。
KIA100N03场效应管非常适合应用于小功率LED、锂电池保护板等产品领域，KIA100N03场效应管可以代换IR8726、09N03、30H10K场效应管型号进行使用，KIA100N03场效应管具有增强的dv/dt能力、快速切换等特性，绿色设备可用，优质原厂直销。
09n03场效应管参数,09n03la代换KIA100N03参数
工作方式：90A/30V
漏源电压：30V
栅源电压：±20A
漏电流连续：90A
脉冲漏极电流：360A
雪崩电流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功率：88W
热电阻：62℃/V
栅极阈值电压：1.2V
输入电容：3070PF
输出电容：400PF
反向传输电容：315PF
开启延迟时间：12.6ns
关断延迟时间：12.6ns
上升时间：42.8ns
下降时间：13.2ns
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