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低内阻MOS管KIA50n06漏源击穿电压60V，漏极电流为50A，RDS(on) =10.5m@ VGS =10V；具有低Rds开启，可将传导损耗降至最低、高雪崩电流等特点；KIA50n06可以代换SQD50N06、FQP50N06等威世、仙童品牌场效应管型号进行使用，优质国产原厂直销。
KIA50n06 60V 50A应用领域有：电源、不间断电源、电池管理系统等，50n06非常适合应用于电源适配器、开关电源、UPS电源、车载功放、电动工具、HID安定器等产品；提供无铅绿色设备。KIA50n06封装形式：TO-252、TO-251、TO-220。
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产品型号：KIA50n06B
工作方式：50A/60V
漏流电压：60V
栅源电压（连续）：±25V
连续漏电流：50A
脉冲漏极电流：250A
雪崩能量：120A
功耗：88W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：60V
栅极阈值电压：3V
输入电容：2060 PF
输出电容：755 PF
开通延迟时间：14nS
关断延迟时间：20nS
上升时间：13 ns
下降时间：7.5ns
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