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irf3205场效应管资料
IRF3205是一种N沟道功率MOS管，采用 TO-220封装，工作电压为 55V 和 110A，导通电阻为 8.0mΩ。
irf3205场效应管参数：
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 110 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 200 W
下降时间: 65 ns
上升时间: 101 ns
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
irf3205场效应管代换KNX3206A资料
irf3205场效应管代换KNX3206A漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为110A；RDS (on) = 6.5mΩ(typ)@VGS =10V。KNX3206A具有低RDS（ON)以减小导电损耗、低门电荷在快速开关中的应用、优化的BVDSS性能等特性，导通电阻极低，适用于逆变器、电机速度控制器、DC-DC 转换器等开关电路，提供卓越的开关性能。
irf3205场效应管代换KNX3206A引脚图
irf3205场效应管代换KNX3206A参数
工作方式：110A/60V
漏至源电压:60V
门到门限电压:±20V
单脉冲雪崩能：288MJ
操作和储存温度范围：-55℃至+175℃
漏源击穿电压：60V
二极管正向电压:1.4V
反向恢复时间：75nS
输入电容：3400pF
输出电容：430pF
反向转移电容:145pF
IRF3205继电器驱动电路
IRF3205逆变器电路图
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