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cmd5950参数,CMD5950替代型号,KPD8610A中文资料-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2023-12-08 

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cmd5950参数引脚图

额定电压 :-100V

额定电流 :-40A

导通电阻 :33mΩ @ 10V, 36mΩ @ 4.5V

门源电压 :20Vgs (±V)

阈值电压 :-1.92Vth (V)

封装类型 :TO-252

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CMD5950替代型号KPD8610A资料

KPD8610A是一款P沟道MOSFET,采用先进的高密度沟槽技术,漏源击穿电压-100V,漏极电流-35A,RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V,具有超低栅电荷、优异的cdv/dt效应降低等特性,KPD8610A场效应管-100V -35A可以代换CMD5950、NCE01P30K、DH100P30型号使用,能够提供可靠而高效的电流开关功能。


KPD8610A广泛用于电动车报警器、开关等,降低功率损耗,提高系统效率。KPD8610A采用TO-252封装,适合在各种电路板和模块中使用;满足RoHS和绿色产品的要求,100%的EAS保证功能可靠性。

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CMD5950替代型号KPD8610A参数详情

工作方式:-35A/-100V

漏源电压:-100V

栅源电压:±20A

漏电流连续:-35A

脉冲漏极电流:100A

雪崩能量:345mJ

耗散功率:104W

栅极阈值电压:-1.8V

输入电容:6516PF

输出电容:223PF

上升时间:32.2ns

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联系方式:邹先生

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