irfb4710场效应管参数,irfb4710场效应管代换,KIA3510A-KIA MOS管
irfb4710场效应管参数引脚图
漏源极电压(Vds)：100 V
漏源击穿电压：100V (min)
连续漏极电流(Ids)：75 A
RDS(on) max：0.014?
耗散功率：200 W
上升时间130 ns
irfb4710场效应管代换,KIA3510A中文资料
KIA3510A漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（打开）=14mΩ（max）@VGS=10V，具有低栅极-漏极电荷可降低开关损耗、100%雪崩测试、可靠且坚固、提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）等特性；KIA3510A 75A 100V场效应管能够代换irfb4710型号，广泛应用于逆变器、LED电源等，封装形式：TO-220、252、263，高效稳定。
KIA3510A代换irfb4710场效应管参数
产品型号：KIA3510A
工作方式：75A/100V
漏源电压：100V
栅源电压：±25A
漏电流连续：75A
脉冲漏极电流：219A
雪崩电流：30A
雪崩能量：225mJ
耗散功率：166W
热电阻：62.5℃/V
漏源击穿电压：100V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：2946PF
输出电容：339PF
上升时间：108ns
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QQ：2880195519
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