AOD4454参数,aod4454参数及代换,KNX7115A-KIA MOS管
AOD4454参数引脚图
VDS：150V
ID (at VGS=10V)：20A
RDS(ON) (at VGS=10V) < 94mΩ
RDS(ON) (at VGS=7V) < 110mΩ
漏源极电压(Vds)：150 V
连续漏极电流(Ids)：20A
上升时间：5.5 ns
输入电容(Ciss)：985pF @75V(Vds)
额定功率(Max)：2.5 W
下降时间：3 ns
耗散功率(Max)：2.5W (Ta), 100W (Tc)
aod4454参数代换,KNX7115A场效应管
KNX7115A场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流20A，RDS(on)=77mΩ@VGS=10V；KNX7115A能够代换aod4454型号，在LED驱动等领域热销，封装形式：TO-252、TO-251。
KNX7115A是性能出色的沟槽式N沟MOSFET，具有极高的单元密度，出色的Cdv/dt效应下降，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷；KNX7115A满足RoHs和绿色产品要求，100%EAS保证，高效稳定。
aod4454参数代换,KNX7115A参数
漏源电压：150V
栅源电压:±20V
功率耗散:72.6 W
脉冲漏电流:40A
单脉冲雪崩能量：53MJ
雪崩电流:18A
漏源击穿电压:150V
输入电容：2285pF
输出电容：110pF
反向转移电容：83pF
开通延迟时间：13nS
上升时间：8.2nS
关断延迟时间：25nS
下降时间：11nS
aod4454参数代换,KNX7115A规格书
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