irf730场效应管参数,irf730参数及代换,PDF中文资料-KIA MOS管
irf730场效应管参数引脚图
漏源电压（Vdss）：400V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：38nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：700pF @ 25V
功率耗散（最大值）：74W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 3.3A，10V
irf730场效应管代换,KIA730H资料
irf730场效应管可以使用KIA730H这一款漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS(ON)，typ.=0.83Ω@VGS=10V，性能出色的N沟道增强型硅栅极功率MOSFET替代，专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关电源、逆变器、螺线管、电机驱动器、开关转换器。
KIA730H 400V 6A场效应管具有较低的导通电阻，低栅极电荷（典型值为20nC），快速切换能力，优越的开关性能，改进的dv/dt能力，极高的雪崩击穿耐量，可最大限度地减少导通损耗；KIA730H封装：TO-220、200F、251、252，封装形式多样，以满足不同需求。
irf730场效应管代换,KIA730H参数详情
漏源电压：400V
栅源电压：±30V
漏电流连续：6.0A
脉冲漏极电流：24A
雪崩能量：270mJ
耗散功率：73W
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：520PF
输出电容：80PF
上升时间：60ns
irf730场效应管代换,KIA730H规格书
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