IRF9410参数,IRF9410TRPBF,保护板专用MOS管4603A-KIA MOS管
IRF9410参数引脚图
漏源电压（Vdss）：30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A
栅源极阈值电压：1V @ 250uA
漏源导通电阻：30mΩ @ 7A,10V
耗散功率：2.5W (Ta)
输入电容(Ciss)：550pF @25V(Vds)
上升时间：7.30 ns
IRF9410参数,保护板MOS管4603A
锂电池保护板专用MOS场效应管KNE4603A漏源击穿电压30V，漏极电流7A，RDS（开）典型值=16mΩ@VGS=10V；具有超低栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗等特性，满足RoHs和绿色产品的要求，确保锂电池保护板的性能稳定可靠。
KNE4603A场效应管是高单元密度沟槽双N沟道MOSFET，具有出色的参数，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷，适用于多种应用领域，在锂电池保护板、逆变器、智能医疗领域热销；KNE4603A封装形式：SOP-8。
KNE4603A 30V 7A场效应管可以替代ST意法、IR、美台、微硕、CET华瑞等品牌的IRF9410TRPBF、FZT849TA、WSE3088、CEM8958、STS7PF30型号进行使用，高效率低损耗，KIA半导体国产原厂现货直销。
KNE4603A场效应管参数
漏源电压：30V
漏极电流：7A
栅源电压（连续）：±20V
脉冲漏极电流：36A
功耗：2.1W
栅极阈值电压：2V
输入电容：480PF
输出电容：70PF
开通延迟时间：3.1nS
关断延迟时间：18nS
上升时间：8.6 ns
下降时间：5ns
KNE4603A场效应管规格书PDF
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