2串保护板专用MOS管,KND3502A场效应管参数,引脚图-KIA MOS管
保护板MOS管,KND3502A场效应管
KNX3502A场效应管采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V。这款场效应管适用于多种应用，是2串保护板专用料(低启1.8V)。
KNX3502A场效应管漏源击穿电压20V，漏极电流70A，RDS(on)=7m?(typ.) @ VDS=4.5V，具有高功率和电流处理能力、无铅产品、表面贴装封装，性能稳定可靠。KNX2710A场效应管封装形式：TO-252，广泛应用在蓄电池保护、负载开关、电源管理等领域。
保护板MOS管,KND3502A参数详情
漏源极电压：20V
漏极电流：70A
栅源电压：±12V
脉冲漏电流：240A
雪崩能量单脉冲：340MJ
最大功耗：50W
栅极阈值电压：0.65V
输入电容：1800PF
输出电容：200PF
开通延迟时间：5.3nS
关断延迟时间：64nS
上升时间：75.4ns
下降时间：62ns
保护板MOS管,KND3502A规格书
KIA半导体MOS管具备强大的核心竞争力，是开关电源生产厂家的优质选择。KIA半导体MOS管厂家主要研发、生产、经营：场效应管（MOS管）、COOL MOS（超结场效应管）、三端稳压管、快恢复二极管；广泛应用于逆变器、锂电池保护板、电动车控制器、HID车灯、LED灯、无刷电机、矿机电源、工业电源、适配器、3D打印机等领域；可申请免费送样以及报价、技术支持服务。
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