PD电源,mos管30v 85a,KNX3403B场效应管中文资料-KIA MOS管
PD电源,mos管30v 85a,KNX3403B
PD电源热销MOS管KNX3403B是一种N沟道增强型功率Mosfet场效应晶体管，使用KIA的LVMosfet技术生产。KNX3403B经过改进的工艺和单元结构经过特别定制，漏源击穿电压30V，漏极电流85A，RDS（打开）典型值=4.5mΩ（典型值）@VGS=10V，可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能；KNX3403B广泛应用于UPS、逆变器系统的电源管理。
KNX3403B 30v 85a参数场效应管封装形式有TO-252、DFN5*6两种选择，便于安装使用，KNX3403B场效应管还具有低栅极电荷、低Crss、快速切换、改进的dv/dt能力等特性，低Rds开启以最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，确保各种电源应用的性能稳定可靠。
PD电源,mos管30v 85a,KNX3403B参数
漏源电压：30V
漏极电流：85A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：340A
雪崩能量单脉冲：156MJ
最大功耗：71W
栅极阈值电压：2V
输入电容：2200PF
输出电容：270 PF
开通延迟时间：11nS
关断延迟时间：140nS
上升时间：87ns
下降时间：82ns
PD电源,mos管30v 85a,KNX3403B规格书
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