13n50场效应管参数,13n50场效应管代换-KIA MOS管
13n50场效应管参数引脚图
KIA13N50H是一款N沟道增强型硅栅功率MOSFET，专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
漏极至源极电压（VDSS）：500V
栅源电压（VGSS）：±30V
漏极电流 （连续）（lD）：13A
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.4Ω
耗散功率（PD）：195/48W
工作温度：±150℃
KIA13N50H场效应管参数13A 150V，RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v；具有低栅极电荷（典型的45nc）、快速切换的能力、雪崩能量、改进的dt／dt能力等特性，这款场效应管适用于电子镇流器、DC-AC电源转换器、DC-DC电源转换器、高压H桥PMW马达驱动、500W逆变器后级电路/开关电源等产品。
KIA13N50H场效应管封装形式有TO-220、TO-220、TO-263可供选择使用，方便安装应用，13N50场效应管在开关电源、逆变器、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域有广泛的应用。
13n50场效应管参数详情
漏源电压：500V
漏极电流：13A
栅源电压：±30V
雪崩能量单脉冲：860MJ
最大功耗：195/48W
输入电容：1600PF
输出电容：200PF
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：130nS
上升时间：100ns
下降时间：100ns
13n50场效应管规格书
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
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