P30v,P40v,P60v低压MOS,场效应管,国产原厂-KIA MOS管
P30v,P40v,P60v低压MOS,场效应管,国产原厂-KIA MOS管
P30v,P40v,P60v低压MOS管参数
P30v MOS,KIA3409参数引脚图
KIA3409采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）和低栅极电荷。该器件适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3409不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。
VDS(V)=-30V
ID=-2.6A
RDS(on)<130mΩ(VGS=-10V,ID=-2.6A)
RDS(on)<200mΩ(VGS=-4.5V,ID=-2.0A)
P40v MOS,KPX3404A参数引脚图
漏极电流 (ID) ：-80A
漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-40V
栅极电荷（Qg）：115 nC
功耗 (PDM) ：58W
RDS（ON）=5mΩ（典型值）@VGS=-10V
P40v MOS,KPX3404A特性：超低栅极电荷、100%EAS保证、绿色设备可用、出色的CdV/dt效应下降、先进的高单元密度沟槽。
KIA半导体MOS管具备强大的核心竞争力，是开关电源生产厂家的优质选择。KIA半导体MOS管厂家主要研发、生产、经营：场效应管（MOS管）、COOL MOS（超结场效应管）、三端稳压管、快恢复二极管；广泛应用于逆变器、锂电池保护板、电动车控制器、HID车灯、LED灯、无刷电机、矿机电源、工业电源、适配器、3D打印机等领域；可申请免费送样以及报价、技术支持服务。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
