7n65场效应管参数代换,7n65参数管脚图-KIA MOS管

7n65场效应管参数,管脚图

功率MOSFET采用KIA半导体先进的平面条纹DMOS技术生产。这项先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

漏源电压：650V

栅源电压：±30V

漏电流连续：7.0A

脉冲漏极电流：28A

雪崩能量：230mJ

耗散功率：147W

漏源击穿电压：650V

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：1000 PF

输出电容：110 PF

上升时间：50 ns

KIA7N65H是一款高性能场效应管，具有出色的性能和可靠性，漏极电流7A，漏源击穿电压高达650V，导通电阻仅为1.2Ω，在10V的栅极电压下能够提供稳定的性能；能够替代仙童等品牌7n65型号进行使用。

7n65具有低栅极电荷，高坚固性和快速切换特性，确保了其在工作过程中的稳定性和可靠性；经过100%的雪崩测试，确保了其质量和安全性；改进的dv/dt能力使其更加适用于高频率的应用领域。封装形式有TO-220、TO-220F和TO-263，可以满足不同场合的需求。广泛应用于开关电源和LED驱动等领域，为电子设备的稳定运行提供了强大的支持。

7n65场效应管参数,代换