NCE4060K,NCE4060参数代换,KND3504A场效应管-KIA MOS管
NCE4060参数引脚图
漏源电压（Vdss）：40V
连续漏极电流（Id）（25°C ）：60A(Tc)
栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA
漏源导通电阻：13mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）：65W(Tc)
NCE4060参数代换,KND3504A介绍
KND3504A场效应管，采用了沟槽功率低压MOSFET技术，漏极电流70A，漏源击穿电压40V，具有低导通电阻，典型值为7.0mΩ；出色的散热封装和低RDS（ON）的高密度电池设计，使其在各种应用中表现突出；能够替代新洁能品牌NCE4060K型号进行使用，封装形式：TO-252。
NCE4060参数代换,KND3504A参数
漏源电压：40V
漏极电流：70A
漏源通态电阻(RDS(on))：7.0mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：270A
雪崩能量单脉冲：110MJ
最大功耗：48W
输入电容：1760PF
输出电容：220PF
总栅极电荷：46.5nC
开通延迟时间：5nS
关断延迟时间：50nS
上升时间：22ns
下降时间：32ns
NCE4060参数代换,KND3504A规格书
KND3504A场效应管广泛应用于各种领域，无论是负载切换、硬开关还是高频电路，它都能胜任。这款场效应管尤其适用于不间断电源等领域，在保证稳定供电的同时，有效降低了功率损耗，提高了整体效率。先进的散热封装技术，能够有效散热，确保器件在长时间高负载运行时不易受损，极大地提升系统的性能和稳定性，为用户带来更加可靠的电力保障。
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