7n80场效应管参数,7n80c场效应管参数代换-KIA MOS管
7n80场效应管参数引脚图
KIA7N80场效应管是一款性能出色的电子器件，具有极高的可靠性和稳定性，7n80漏极电流7A，漏源击穿电压800V，RDS(on)仅为1.4Ω@ VGS=10V，栅极电荷低，仅为27nC，快速切换，操作高效，还具备高坚固性，经过100%雪崩测试，改进的DV/DT功能，进一步提升了性能表现。
KIA7N80场效应管是一款非常值得信赖的电子元件，大大提升了电路的性能和稳定性，为电子设备提供稳定可靠的支持，适用于开关电源和LED驱动等领域，7N80封装形式：TO-220、TO-220F，可代换仙童等品牌型号。
7n80场效应管参数代换详情
漏源电压：800V
栅源电压：±30V
漏电流连续：7.0A
脉冲漏极电流：28A
雪崩能量：650mJ
耗散功率：167W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：800V
温度系数：1V/℃
栅极阈值电压：3.0V
输入电容：1300 PF
输出电容：120 PF
上升时间：100 ns
7n80场效应管参数代换规格书
KIA7N80场效应管是使用先进的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进的技术经过专门定制，可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
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