80n120参数,KSZ080N120A中文资料,充电桩MOS管-KIA MOS管
80n120参数,KSZ080N120A
碳化硅MOS管KSZ080N120A参数：28A，1200V；RDS（ON）仅为80mΩ，在VGS为20V，TJ为25°C时达到典型值，具有低导通电阻和高阻断电压的特点；在低电容条件下能实现高速开关；具备强大的雪崩强度，可应用于太阳能逆变器、开关模式电源、高压DC-DC转换器以及电池充电器等领域。
碳化硅MOS管KSZ080N120A的低导通电阻和高阻断电压特性，能够减小功率损耗，在高压转换和开关过程中的响应速度快，能够实现高频率的高速开关，可以有效提高电路的效率和性能，使得电源系统在工作过程中更加稳定可靠。
80n120参数,KSZ080N120A参数
漏源电压：1200V
漏极电流：28A
漏源通态电阻(RDS(on))：80mΩ
栅源电压：-5/+20V
脉冲漏电流：60A
雪崩能量单脉冲：720MJ
最大功耗：166W
输入电容：2025PF
输出电容：71.9PF
总栅极电荷：86nC
开通延迟时间：22nS
关断延迟时间：18nS
上升时间：62ns
下降时间：12ns
80n120参数,KSZ080N120A规格书
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