6n70场效应管参数,KIA6N70H大功率开关mos管-KIA MOS管
6n70场效应管参数,KIA6N70H
KIA6N70H功率MOSFET采用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产，经过特殊定制，最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，能够承受高能脉冲的雪崩和换向模式。特别适用于高效开关模式电源以及基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
KIA6N70H场效应管漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A，RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V，具有低栅电荷（典型16NC）、高耐用性、快速切换和雪崩测试100%、具备提高dv/dt能力的特点，多种封装形式：TO-251、TO-252、TO-220F，方便应用。这些优秀的特性使得KIA6N70H成为一款高性能的器件，能够在各种应用场景中发挥重要作用，为电力系统的可靠性和效率提供有力的支持。
6n70场效应管参数,KIA6N70H参数
漏源电压：700V
漏极电流：5.8A
漏源通态电阻(RDS(on))：1.8Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：20A
雪崩能量单脉冲：150MJ
最大功耗：95/48W
输入电容：650PF
输出电容：95PF
总栅极电荷：16nC
开通延迟时间：30nS
关断延迟时间：80nS
上升时间：40ns
下降时间：40ns
6n70场效应管参数,KIA6N70H规格书
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