广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

6n70场效应管参数,KIA6N70H大功率开关mos管-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2024-04-08 

分享到:

6n70场效应管参数,KIA6N70H大功率开关mos管-KIA MOS管


6n70场效应管参数,KIA6N70H


KIA6N70H功率MOSFET采用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产,经过特殊定制,最大限度地减少导通电阻,提供卓越的开关性能,能够承受高能脉冲的雪崩和换向模式。特别适用于高效开关模式电源以及基于半桥拓扑的有源功率因数校正。


KIA6N70H场效应管漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A,RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V,具有低栅电荷(典型16NC)、高耐用性、快速切换和雪崩测试100%、具备提高dv/dt能力的特点,多种封装形式:TO-251、TO-252、TO-220F,方便应用。这些优秀的特性使得KIA6N70H成为一款高性能的器件,能够在各种应用场景中发挥重要作用,为电力系统的可靠性和效率提供有力的支持。

6n70场效应管参数

6n70场效应管参数,KIA6N70H参数

漏源电压:700V

漏极电流:5.8A

漏源通态电阻(RDS(on)):1.8Ω

栅源电压:±30V

脉冲漏电流:20A

雪崩能量单脉冲:150MJ

最大功耗:95/48W

输入电容:650PF

输出电容:95PF

总栅极电荷:16nC

开通延迟时间:30nS

关断延迟时间:80nS

上升时间:40ns

下降时间:40ns


6n70场效应管参数,KIA6N70H规格书

6n70场效应管参数

6n70场效应管参数


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

免责声明:本网站部分文章或图片来源其它出处,如有侵权,请联系删除。