tip122参数引脚图,tip122参数及代换,KIA6410A中文资料-KIA MOS管
tip122参数引脚图,KIA6410A
tip122参数代换,KIA6410A中文资料
KIA6410A N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术，经过专门定制，能够显著降低导通电阻，提供出色的开关性能，即使在雪崩和换向模式下也能承受高能脉冲，非常适用于高效快速切换的应用场景。KIA6410A可替代TIP122，货源稳定，原厂直销。
KIA6410A场效应管漏源击穿电压100V、漏极电流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低导通电阻特性，同时还具备改进的dv/dt能力，确保快速切换的稳定性、以及100%的EAS保证让用户放心使用，而且作为绿色设备，符合环保要求；KIA6410A封装形式：TO-220、TO-252、TO-251。
KIA6410A场效应管高效率低损耗以及快速切换特性可应用于各种Led应用程序，网络系统和负载开关中，带来更加高效可靠的性能，为电路设计和应用提供了有力支持。
tip122参数代换,KIA6410A参数
漏源电压：100V
栅源电压：±20V
漏电流连续：15A
脉冲漏极电流：60A
耗散功率：50W
热电阻：62℃/V
漏源击穿电压：100V
温度系数：0.05V/℃
栅极阈值电压：1.2V
输入电容：1480PF
输出电容：480PF
上升时间：9.5ns
tip122参数代换,KIA6410A规格书
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